MEDIAWORLD

STMicroelectronics e Leti sviluppano tecnologia GaN on Silicon per applicazioni di conversione di potenza

La collaborazione si propone di sviluppare e industrializzare architetture avanzate di diodi e transistor di potenza GaN on Si. La tecnologia di processo, che usufruisce dei risultati del programma IRT Nanoelec, sarà trasferita dalla linea R&S a 200 mm del Leti a una linea pilota per fette di silicio da 200 mm di ST che diventerà operativa entro il 2020

Stabilità e sicurezza di processo, anche nelle applicazioni di forature complesse

Con la D4140, Walter AG espande ulteriormente il proprio programma di punte. La particolarità della nuova punta ad inserto: oltre al corpo temprato, la D4140 presenta vani di scarico rettificati e lappati, che, in tutti gli altri casi, si trovano soltanto nelle punte in metallo duro integrale.

Haas EC 1600

Upgrade del campione di vendite EC-1600 HMC

CNC Haas di nuova generazione

Migliore in quanto a velocità, intelligenza e look, per ottimizzare le operazioni del mandrino.

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