STMicroelectronics abiliterà interconnessioni ottiche per il ad alte prestazioni in data center e cluster per IA

STMicroelectronics annuncia la prossima generazione di tecnologie proprietarie per realizzare interconnessioni ottiche con migliori prestazioni in data center e cluster IA. Con la crescita esponenziale delle esigenze di elaborazione associate all’intelligenza artificiale, emergono nuove sfide per quanto riguarda le prestazioni e l’efficienza energetica richieste per computer, memorie e alimentatori e per le loro interconnessioni. ST aiuta gli operatori hyperscale e il principale fornitore di moduli ottici a superare queste sfide con nuove tecnologie di fotonica del silicio e tecnologie BiCMOS di nuova generazione, con un piano di ramp-up a partire dalla seconda metà del 2025 per moduli ottici da 800 Gb/s e 1,6 Tb/s.

Al cuore delle interconnessioni dei data center vi sono migliaia o persino centinaia di migliaia di ricetrasmettitori ottici. Questi dispositivi convertono i segnali ottici in segnali elettrici e viceversa per consentire il flusso di dati tra le risorse di elaborazione delle GPU (Graphics Processing Unit), gli switch e i dispositivi di archiviazione. All’interno di questi ricetrasmettitori, la nuova tecnologia di fotonica del silicio (SiPho) proprietaria di ST offrirà ai clienti la possibilità di integrare diversi componenti complessi in un unico chip, mentre la nuova generazione della tecnologia proprietaria BiCMOS di ST consentirà una connettività ottica ad altissima velocità e basso consumo, caratteristiche fondamentali per sostenere la crescita dell’intelligenza artificiale.




“La domanda di intelligenza artificiale sta accelerando l’adozione di tecnologia di comunicazione ad alta velocità nell’ecosistema dei data center. Per ST, è il momento giusto per introdurre una nuova tecnologia di silicon photonics efficiente sotto il profilo dei consumi e integrarla con una nuova generazione di BiCMOS per consentire ai nostri clienti di progettare prodotti di interconnessione ottica innovativi, che permettano agli operatori hyperscale di realizzare soluzioni a 800 Gbps/1,6 Tbps” ha dichiarato Remi El-Ouazzane, Presidente del gruppo Microcontrollers, Digital ICs and RF products di STMicroelectronics.

La combinazione delle tecnologie SiPho e BiCMOS di ST crea piattaforma unica nel suo genere in silicio da 300 mm per il mercato ottico. Entrambe le tecnologie sono in fase di industrializzazione e saranno prodotte nello stabilimento ST da 300 mm di Crolles (Francia).