STMicroelectronics e TSMC collaborano per accelerare l’adozione di prodotti a base di nitruro di gallio da parte del mercato

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e TSMC, la più grande foundry mondiale specializzata in semiconduttori, stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati.

Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando tecnologia di processo GaN di TSMC all’avanguardia..

Il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza. Tra questi figurano la maggiore efficienza energetica a potenze più elevate, che porta a una sostanziale riduzione delle perdite di potenza dovute a correnti parassite, e la possibilità di progettare dispositivi più compatti per fattori di forma migliori. Inoltre, i dispositivi basati sul GaN presentano velocità di commutazione anche 10 volte superiori rispetto ai dispositivi basati sul silicio quando operano a temperature più elevate.

Queste caratteristiche intrinseche di robustezza fanno del GaN un materiale ideale per l’adozione su larga scala in applicazioni in evoluzione come quelle dei settori automotive, industriale, delle telecomunicazioni e altre applicazioni specifiche del mercato dell’elettronica di consumo, sia nei cluster a 100 V sia in quelli a 650 V.

In particolare, i prodotti di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN permetteranno a ST di fornire soluzioni per applicazioni a potenza medio-alta con caratteristiche di efficienza superiori rispetto alle tecnologie a base silicio nelle stesse tipologie, inclusi i convertitori per automobili e i caricatori per veicoli ibridi ed elettrici. Le tecnologie di potenza e i circuiti integrati basati sul GaN contribuiranno ad accelerare i megatrend dell’elettrificazione dei veicoli privati e commerciali.

“Come leader nelle tecnologie dei semiconduttori a banda larga e dei semiconduttori di potenza per mercati impegnativi come l’Automotive e l’Industriale, ST vede importanti opportunità nell’accelerazione dello sviluppo e della fornitura delle tecnologie di processo GaN, così come nell’introduzione sul mercato di prodotti di potenza e circuiti integrati a base GaN. La foundry TSMC è un partner di fiducia, unico per soddisfare le complesse esigenze dei clienti di ST in materia di affidabilità ed evoluzione della roadmap”, ha dichiarato Marco Monti, President, Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics. “Questa collaborazione è complementare alle attività sui dispositivi di potenza GaN che stiamo attualmente conducendo nel sito di Tours, in Francia, e con CEA-Leti. Il nitruro di gallio rappresenta la prossima grande innovazione nell’elettronica di potenza, nelle soluzioni di potenza intelligente e nelle tecnologie di processo”.

“Abbiamo grandi aspettative riguardo alla collaborazione con ST per introdurre l’elettronica di potenza basata sul GaN nelle applicazioni di conversione di potenza dei settori Industriale e Automotive,” ha dichiarato Kevin Zhang, Vice President, Business Development di TSMC. “Le eccellenti competenze di TSMC nella produzione basata sul GaN, abbinate alle capacità di STMicroelectronics nella progettazione e qualifica di prodotti per il settore automotive, permetteranno di migliorare nettamente l’efficienza energetica delle applicazioni di conversione di potenza destinate al settore industriale e al mercato automotive, rendendole più ecologiche e contribuendo ad accelerare l’elettrificazione dei veicoli.”

ST prevede di consegnare i primi esemplari di dispositivi di potenza discreti basati su GaN ai clienti principali più tardi quest’anno per poi proseguire, entro pochi mesi, con i circuiti integrati GaN.

www.st.com

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