Toshiba lancia una serie di MOSFET con clamp attivo per il pilotaggio dei relè

Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di una nuova serie di MOSFET che incorpora una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra i terminali di drain e di gate. Richiedendo un numero minimo di componenti esterni, il dispositivo singolo SSM3K357R e il componente duale SSM6N357R sono adatti per il pilotaggio di carichi induttivi, come i relè meccanici o i solenoidi.

La nuova serie 357 protegge i driver contro possibili danni prodotti da sbalzi di tensione, come quelli causati dalla forza controelettromotrice generata da un carico induttivo. Essa integra una resistenza di pull-down, una resistenza serie e un diodo Zener, che contribuiscono tutti a diminuire il numero di componenti esterni e a ridurre l’occupazione di spazio su PCB.

I dispositivi sopportano una tensione drain-source massima (VDSS) di 60V e una corrente di drain (ID) massima di 0,65A. Il basso valore di resistenza di ON al drain-source (RDS(ON)), pari a 800mΩ a VGS = 5,0 V, garantisce un funzionamento efficiente con una produzione di calore minima.

Il dispositivo singolo SSM3K357R è alloggiato in un package di classe SOT-23F da 2,9 x 2,4 x 0,8 mm, ed è adatto per il controllo di relè e solenoidi grazie alla bassa tensione operativa di 3,0V. Essendo il dispositivo qualificato secondo AEC-Q101, esso è adatto per applicazioni automotive e per molte applicazioni industriali.

Il componente duale SSM6N357R è alloggiato in un package di classe TSOP6F da 2,9 x 2,8 mm x 0,8 mm, che consente l'utilizzo di due dispositivi su una scheda, richiedendo il 42% in meno di superficie di montaggio rispetto all'utilizzo di due dispositivi singoli.

L’SSM3K357R e l’SSM6N357R sono già in consegna in volumi.

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