ROHM al PCIM 2022: novità di rilievo nel campo della potenza e nuovi investimenti in capacità produttiva di SiC

L'azienda presenta anche le sue attività economiche, le sue strategie e i suoi piani di investimento nel carburo di silicio (SiC) a livello europeo e globale.

Una delle più recenti innovazioni nel campo della potenza di ROHM è rappresentata dalla sua quarta generazione di MOSFET SiC, che vanta una perdita di commutazione inferiore del 50% e una riduzione della resistenza di ON del 40% (rispetto alle generazioni precedenti) senza sacrificare la resistenza al cortocircuito. L'ultima generazione offre inoltre un range di tensione di gate più flessibile (15 - 18 V) e garantisce lo spegnimento a tensione zero, consentendo l'utilizzo di circuiti di pilotaggio del gate semplici e con alimentazione unipolare.

“La richiesta di SiC è destinata a crescere, così come le vendite di ROHM. Accelereremo ulteriormente l'investimento e lo sviluppo dei prodotti sulla base della tecnologia che abbiamo studiato nella nostra veste di azienda leader nella produzione di tecnologia SiC. La nostra azienda continuerà anche a proporre soluzioni che combinano non solo prodotti SiC, ma anche componenti periferici e assistenza clienti", ha affermato il Dr. Kazuhide Ino, amministratore delegato e CSO di ROHM Co., Ltd..

Recentemente ROHM ha aumentato la propria capacità produttiva per i semiconduttori di potenza SiC con il completamento di un nuovo edificio presso il suo stabilimento Apollo a Chikugo, in Giappone. "In qualità di azienda produttrice di semiconduttori a integrazione verticale, siamo ampiamente indipendenti dai fornitori e possiamo rispondere in modo più flessibile ai cambiamenti del mercato. L'elevato grado di integrazione delle nostre fabbriche ci offre un vantaggio competitivo rispetto ad altri produttori che devono esternalizzare numerose fasi di produzione. Stiamo anche compiendo grandi sforzi per ottimizzare ulteriormente le nostre catene di approvvigionamento, compreso il nostro sistema di produzione, e per ottenere forniture stabili per i nostri clienti", ha affermato Wolfram Harnack, Presidente di ROHM Semiconductor Europe.

Dal momento che la richiesta di wafer di carburo di silicio continuerà a crescere in futuro, ROHM progetta di espandere i suoi investimenti e la sua capacità produttiva. Inoltre la filiale di produzione di ROHM SiCrystal, ubicata a Norimberga, in Germania, ha in progetto di ampliare notevolmente la sua capacità e il suo organico. "L'obiettivo intermedio di SiCrystal è quello di ottenere vendite a nove cifre producendo diverse centinaia di migliaia di substrati all'anno", ha spiegato il Dr. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal.

Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd., è soddisfatto dei risultati complessivi del gruppo ROHM e guarda con ottimismo al futuro: "Abbiamo registrato vendite record nell'ultimo esercizio fiscale e ci aspettiamo di continuare a dar prova di una forte performance nell'esercizio fiscale corrente. Di conseguenza abbiano rivisto verso l'alto il piano di gestione a medio termine e prima di quanto pianificato. Tra i mercati globali, puntiamo sull'Europa come mercato prioritario su cui concentrarci, viste le numerose aziende che primeggiano nel campo dell'innovazione tecnologica per le apparecchiature automobilistiche e industriali. ROHM continuerà altresì a fornire ai propri clienti soluzioni incentrate sui prodotti analogici e di potenza, che sono le sue specialità", conclude Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd..

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