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02
'26
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Relè MOSFET al SiC per applicazioni ad alta tensione fino a 3.300 V
OMRON introduce la serie G3VH per incrementare l'efficienza e la compattezza nelle architetture ad alta tensione.
industrial.omron.eu
OMRON Electronic Components Europe ha presentato la nuova serie di relè G3VH, basata sulla tecnologia al carburo di silicio (SiC). Con tensioni nominali rispettivamente di 1.800 V e 3.300 V, questi relè a stato solido sono progettati per sistemi che utilizzano tensioni di bus o di batteria superiori a 1.000 V. Grazie all'impiego di MOSFET al SiC, questi componenti offrono una maggiore robustezza e longevità con dimensioni fisiche significativamente inferiori rispetto ai relè Reed tradizionali, consentendo lo sviluppo di architetture di sistema più piccole ed efficienti.
Specifiche tecniche della serie G3VH
I relè integrano MOSFET al SiC in configurazione back-to-back con un driver di gate isolato otticamente in un compatto contenitore DIP a 6 pin. Si distinguono per tempi di commutazione rapidi (tempo di attivazione da 1 ms a 2 ms, tempo di disattivazione di 0,2 ms), un fattore critico in particolare per i comandi di sicurezza e per la riduzione dei cicli di test negli impianti di collaudo automatico (ATE).
- Modello G3VH-331: Progettato per 3.300 V, corrente di carico continuo di 300 mA, corrente di spunto di 900 mA (resistenza: 3,5 Ohm).
- Modello G3VH-181: Progettato per 1.800 V, corrente di carico continuo di 30 mA, corrente impulsiva di 80 mA (resistenza: 120 Ohm).
Entrambi i modelli sono configurati come normalmente aperti (SPST-NO, tipo 1a) e sono disponibili sia per montaggio superficiale (SMD) che per montaggio a foro passante (THT).
Vantaggi della tecnologia SiC
L'elevata tolleranza dV/dt del carburo di silicio garantisce una commutazione stabile anche in condizioni elettriche difficili. Inoltre, i componenti offrono un'eccellente resistenza alle alte temperature di esercizio e agli stress termici. Queste proprietà rendono la serie G3VH ideale per l'impiego in sistemi di azionamento industriali, inverter fotovoltaici, turbine eoliche e sistemi di accumulo dell'energia (ESS).
Contesto aggiuntivo: Questa sezione descrive specifiche tecniche non incluse nell'annuncio originale.
Nei sistemi ad alta tensione, i contatti meccanici o i semplici relè Reed rappresentano spesso un punto debole, essendo vulnerabili alla formazione di archi elettrici ad alte tensioni e all'usura meccanica in caso di frequenze di commutazione elevate. I MOSFET al SiC utilizzano un Wide Bandgap, che non solo aumenta la capacità di carico termico, ma riduce drasticamente le perdite di commutazione rispetto al silicio puro.
Un vantaggio tecnico critico di questi relè è la configurazione "back-to-back". Poiché un singolo MOSFET possiede un diodo parassita interno (body diode) che diventa conduttivo in polarizzazione inversa, un singolo MOSFET potrebbe bloccare il passaggio di corrente solo in una direzione. Il collegamento in antiparallelo (back-to-back) di due MOSFET assicura che il relè possa sezionare efficacemente la corrente in entrambe le direzioni, requisito fondamentale per i circuiti ad alta tensione in corrente continua (DC) nei sistemi a batteria. L'isolamento ottico impedisce inoltre ritorni di corrente tra la sezione ad alta tensione e la logica di controllo (PLC/BMS), aumentando la sicurezza operativa dell'intero sistema in caso di guasto.
A cura di Lekshman Ramdas, redattore di Induportals – adattato dall'IA.
www.omron.com
Vantaggi della tecnologia SiC
L'elevata tolleranza dV/dt del carburo di silicio garantisce una commutazione stabile anche in condizioni elettriche difficili. Inoltre, i componenti offrono un'eccellente resistenza alle alte temperature di esercizio e agli stress termici. Queste proprietà rendono la serie G3VH ideale per l'impiego in sistemi di azionamento industriali, inverter fotovoltaici, turbine eoliche e sistemi di accumulo dell'energia (ESS).
Contesto aggiuntivo: Questa sezione descrive specifiche tecniche non incluse nell'annuncio originale.
Nei sistemi ad alta tensione, i contatti meccanici o i semplici relè Reed rappresentano spesso un punto debole, essendo vulnerabili alla formazione di archi elettrici ad alte tensioni e all'usura meccanica in caso di frequenze di commutazione elevate. I MOSFET al SiC utilizzano un Wide Bandgap, che non solo aumenta la capacità di carico termico, ma riduce drasticamente le perdite di commutazione rispetto al silicio puro.
Un vantaggio tecnico critico di questi relè è la configurazione "back-to-back". Poiché un singolo MOSFET possiede un diodo parassita interno (body diode) che diventa conduttivo in polarizzazione inversa, un singolo MOSFET potrebbe bloccare il passaggio di corrente solo in una direzione. Il collegamento in antiparallelo (back-to-back) di due MOSFET assicura che il relè possa sezionare efficacemente la corrente in entrambe le direzioni, requisito fondamentale per i circuiti ad alta tensione in corrente continua (DC) nei sistemi a batteria. L'isolamento ottico impedisce inoltre ritorni di corrente tra la sezione ad alta tensione e la logica di controllo (PLC/BMS), aumentando la sicurezza operativa dell'intero sistema in caso di guasto.
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